NVM : Non Volatile Memory ROM : Read Only Memory OTP : One Time Programmable ROM EPROM : Erasable Programmable ROM EEPROM : Electrically Erasable & Programmable ROM
NVM Hierarchy
Flash Memory
Flash Memory Technologies
A
B
C(AND)
C(NAND)
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
1
0
A
B
C(OR)
C(NOR)
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
1
0
Flash Cell Architecture
- Contact is the Limiting factor for scale-down
- Easy to Scale Down
NAND Cell Technology Scalability
Flash Memory Operation
Performance Comparison
핀 구성도
-
도시바의 Nand 플래쉬메모리와의 호환성
-
번지지정, 데이터 및 명령어를 동일 핀으로 다중채널구 성 전체핀수를 줄임 (제어핀:8개, 데이타핀:8개, 전원공급핀:4개)
-
4Mb부터 64Mb까지 동일한 핀구성의 패키지 (44TSOP2), 128Mb~1Gb까지 동일한 핀구성의 패키지 (48TSOP1)
Array Organization & Address Map
Nand 플래쉬메모리에서의 Invalid Block
Nand 플래쉬는 invalid block들을 포함할 수 있음. 이 block에 정보를 저장하지 말것. (Invalid block : 한 개 이상의 bad bit을 포함하고 있 는 block )
초기 invalid block : 출하전에 테스트된 원래의 bad block - invalid block 표시는 그 block의 각 첫번째 페이지 spare영역에 00h(16진수로 “00”)를 써넣음. - 추가적인 Invalid block 들이 사용연한(10년)내에 발생 할수도 있음.
Failure Mode
Detection and Countermeasure sequence
Write
Erase Failure
Pass/Fail-Status Check ------> Block Replacement
Program Failure
Read
Single Bit Failure
Verify ECC ------> ECC Correction
-
Specification : 10년의 사용연한중에 유 효한 block 이 최소한 98% 유지되어야 함.
-
Performance : 99.8% 이상이면 유효한것으로 인증됨.
휴대전화에서의 Code저장용과 Data저장용 Flash
데이터 저장 을 위한 플래쉬 메모리 크기의 급속한 성장 현황
- 상기 자료는 삼성전자 패밀리 사이트(http://www.sec.co.kr)에서 발췌 하였습니다. 모든 저작권은 삼성전자 패밀리에 있음을 밝혀 드립니다.
플래쉬 메모리 소개
